半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
831-835
,共5页
石瑞英%孙海锋%袁志鹏%罗明雄%汪宁
石瑞英%孫海鋒%袁誌鵬%囉明雄%汪寧
석서영%손해봉%원지붕%라명웅%왕저
发射极镇流电阻%In0.49Ga0.51P/GaAs HBT%直流特性%高频特性
髮射極鎮流電阻%In0.49Ga0.51P/GaAs HBT%直流特性%高頻特性
발사겁진류전조%In0.49Ga0.51P/GaAs HBT%직류특성%고빈특성
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时,常常出现电流坍塌的问题.研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAs HBT直流及高频特性的影响,并对实验现象进行了理论分析.
在髮射極加一箇鎮流電阻可以解決在多箇HBT併聯時,常常齣現電流坍塌的問題.研究瞭髮射極鎮流電阻對In0.49Ga0.51P/GaAs HBT直流及高頻特性的影響,併對實驗現象進行瞭理論分析.
재발사겁가일개진류전조가이해결재다개HBT병련시,상상출현전류담탑적문제.연구료발사겁진류전조대In0.49Ga0.51P/GaAs HBT직류급고빈특성적영향,병대실험현상진행료이론분석.
