半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
7期
790-793
,共4页
量子点%磁场%能级%量子比特
量子點%磁場%能級%量子比特
양자점%자장%능급%양자비특
研究了磁场中二维有限深抛物形量子点中双电子在总自旋分别为S＝0或S＝1时的电子态,在有效质量近似下,利用精确的对角化方法计算了系统的能级结构.发现系统的基态总自旋S可以通过改变磁场的大小进行调制,由此可以设计利用S＝0和S＝1两个自旋态组成一个量子比特.
研究瞭磁場中二維有限深拋物形量子點中雙電子在總自鏇分彆為S＝0或S＝1時的電子態,在有效質量近似下,利用精確的對角化方法計算瞭繫統的能級結構.髮現繫統的基態總自鏇S可以通過改變磁場的大小進行調製,由此可以設計利用S＝0和S＝1兩箇自鏇態組成一箇量子比特.
연구료자장중이유유한심포물형양자점중쌍전자재총자선분별위S＝0혹S＝1시적전자태,재유효질량근사하,이용정학적대각화방법계산료계통적능급결구.발현계통적기태총자선S가이통과개변자장적대소진행조제,유차가이설계이용S＝0화S＝1량개자선태조성일개양자비특.
