半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
322-327
,共6页
海潮和%韩郑生%周小茵%赵立新%李多力%毕津顺
海潮和%韓鄭生%週小茵%趙立新%李多力%畢津順
해조화%한정생%주소인%조립신%리다력%필진순
SOI%浮体效应%沟道%抗辐照
SOI%浮體效應%溝道%抗輻照
SOI%부체효응%구도%항복조
在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上,提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径.体接触是防止浮体效应的最好方法;正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要;SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能;源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益;而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用.研究发现,采用综合加固技术的nMOS器件,抗总剂量的水平可达1×106rad(Si).
在分析SOI器件的浮體效應、擊穿特性、揹柵閾值、邊緣漏電、ESD及抗輻照特性的基礎上,提齣瞭提高SOI器件和電路性能的技術途徑.體接觸是防止浮體效應的最好方法;正溝道和揹溝道的BF2/B離子註入可以分彆滿足閾值和防止揹柵開啟的需要;SOI器件柵電極的選取嚴重影響器件的性能;源區的淺結有助于減小寄生npn雙極晶體管的電流增益;而自對準硅化物技術為SOI器件優良特性的展現髮揮瞭重要作用.研究髮現,採用綜閤加固技術的nMOS器件,抗總劑量的水平可達1×106rad(Si).
재분석SOI기건적부체효응、격천특성、배책역치、변연루전、ESD급항복조특성적기출상,제출료제고SOI기건화전로성능적기술도경.체접촉시방지부체효응적최호방법;정구도화배구도적BF2/B리자주입가이분별만족역치화방지배책개계적수요;SOI기건책전겁적선취엄중영향기건적성능;원구적천결유조우감소기생npn쌍겁정체관적전류증익;이자대준규화물기술위SOI기건우량특성적전현발휘료중요작용.연구발현,채용종합가고기술적nMOS기건,항총제량적수평가체1×106rad(Si).
