微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2007年
3期
48-53,59
,共7页
胡光伟%刘泽文%张忠惠%侯智昊%李志坚
鬍光偉%劉澤文%張忠惠%侯智昊%李誌堅
호광위%류택문%장충혜%후지호%리지견
氮氧化硅%低应力%PECVD%MEMS开关%接触式开关
氮氧化硅%低應力%PECVD%MEMS開關%接觸式開關
담양화규%저응력%PECVD%MEMS개관%접촉식개관
给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品.利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力.研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0.将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC～10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V.
給齣瞭用于微機電(MEMS)開關懸浮橋的低應力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的製備工藝研究結果,分析瞭等離子增彊化學氣相澱積(PECVD)製備低應力薄膜的影響因素,通過改變反應氣體(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成繫列SiOxNy薄膜樣品.利用形貌儀測量樣品的麯率半徑,計算相應的應力.研究錶明,噹反應氣體(SiH4,NH3和N2O)的流量比為32∶12∶8(N2標定)時,可以得到張應力值為76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其摺射率為1.688,Si,N和O三種元素的成分比為56.3∶23.7∶20.0.將此薄膜生長工藝應用于開關製備,得到瞭適用于DC～10 GHz頻段的MEMS接觸式開關,其驅動電壓為23.3 V.
급출료용우미궤전(MEMS)개관현부교적저응력담양화규(SiOxNy)박막적제비공예연구결과,분석료등리자증강화학기상정적(PECVD)제비저응력박막적영향인소,통과개변반응기체(SiH4,NH3화N2O)적류량비,용PECVD방법생성계렬SiOxNy박막양품.이용형모의측량양품적곡솔반경,계산상응적응력.연구표명,당반응기체(SiH4,NH3화N2O)적류량비위32∶12∶8(N2표정)시,가이득도장응력치위76.8 MPa적SiOxNy박막,기절사솔위1.688,Si,N화O삼충원소적성분비위56.3∶23.7∶20.0.장차박막생장공예응용우개관제비,득도료괄용우DC～10 GHz빈단적MEMS접촉식개관,기구동전압위23.3 V.
