固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
4期
537-539
,共3页
高伟%邹德恕%郭伟玲%宋欣原%孙浩%沈光地
高偉%鄒德恕%郭偉玲%宋訢原%孫浩%瀋光地
고위%추덕서%곽위령%송흔원%손호%침광지
铝镓铟磷%发光二极管%全方位反射镜
鋁鎵銦燐%髮光二極管%全方位反射鏡
려가인린%발광이겁관%전방위반사경
全方位反射镜(ODR)AIGaInP发光二极管能够有效提高光提取效率.对全方位反射镜的设计及工艺进行优化:采用λ/4n厚的SiO2作为介质,光刻腐蚀导电孔,带胶保护,溅射AuZnAu,剥离后,再溅射300 am Au层,形成的ODR退火后在波长630 nm处的反射率为72.1%,而单次溅射AuZnAu的反射率退火后为63.2%.实验结果说明新工艺满足了欧姆接触的需要,反射率提高了8.8%.
全方位反射鏡(ODR)AIGaInP髮光二極管能夠有效提高光提取效率.對全方位反射鏡的設計及工藝進行優化:採用λ/4n厚的SiO2作為介質,光刻腐蝕導電孔,帶膠保護,濺射AuZnAu,剝離後,再濺射300 am Au層,形成的ODR退火後在波長630 nm處的反射率為72.1%,而單次濺射AuZnAu的反射率退火後為63.2%.實驗結果說明新工藝滿足瞭歐姆接觸的需要,反射率提高瞭8.8%.
전방위반사경(ODR)AIGaInP발광이겁관능구유효제고광제취효솔.대전방위반사경적설계급공예진행우화:채용λ/4n후적SiO2작위개질,광각부식도전공,대효보호,천사AuZnAu,박리후,재천사300 am Au층,형성적ODR퇴화후재파장630 nm처적반사솔위72.1%,이단차천사AuZnAu적반사솔퇴화후위63.2%.실험결과설명신공예만족료구모접촉적수요,반사솔제고료8.8%.
