安徽大学学报（自然科学版）
安徽大學學報（自然科學版）
안휘대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF ANHUI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2010年
4期
59-63
,共5页
陈进军%曹铃%宋学萍%孙兆奇
陳進軍%曹鈴%宋學萍%孫兆奇
진진군%조령%송학평%손조기
Ta-ZnO 薄膜%射频磁控溅射%微结构%电阻率
Ta-ZnO 薄膜%射頻磁控濺射%微結構%電阻率
Ta-ZnO 박막%사빈자공천사%미결구%전조솔
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上室温沉积不同钽掺杂浓度的氧化锌透明导电薄膜.并对其结构和电学特性进行分析.对衍射峰的分析说明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成了固溶体.当钽掺杂比例从0 wt%增加到10 wt%,晶格常数从0.524 2 nm增加到0.531 4 nm,表明薄膜中存在平行于c轴方向的张应力.薄膜沿c轴的晶粒尺寸在9.4～13.5 nm之间.薄膜的电阻随着掺杂比例增加首先显著下降,当掺杂比例为5 wt%时,薄膜最小电阻率为7.81×10-2 Ω·cm,进一步增加掺杂比例到10 wt%,电阻率增大为1.25×10-1 Ω·cm.
採用射頻磁控濺射法在玻璃襯底上室溫沉積不同鐽摻雜濃度的氧化鋅透明導電薄膜.併對其結構和電學特性進行分析.對衍射峰的分析說明Ta元素以替位Zn元素的形式溶入ZnO晶格中形成瞭固溶體.噹鐽摻雜比例從0 wt%增加到10 wt%,晶格常數從0.524 2 nm增加到0.531 4 nm,錶明薄膜中存在平行于c軸方嚮的張應力.薄膜沿c軸的晶粒呎吋在9.4～13.5 nm之間.薄膜的電阻隨著摻雜比例增加首先顯著下降,噹摻雜比例為5 wt%時,薄膜最小電阻率為7.81×10-2 Ω·cm,進一步增加摻雜比例到10 wt%,電阻率增大為1.25×10-1 Ω·cm.
채용사빈자공천사법재파리츤저상실온침적불동단참잡농도적양화자투명도전박막.병대기결구화전학특성진행분석.대연사봉적분석설명Ta원소이체위Zn원소적형식용입ZnO정격중형성료고용체.당단참잡비례종0 wt%증가도10 wt%,정격상수종0.524 2 nm증가도0.531 4 nm,표명박막중존재평행우c축방향적장응력.박막연c축적정립척촌재9.4～13.5 nm지간.박막적전조수착참잡비례증가수선현저하강,당참잡비례위5 wt%시,박막최소전조솔위7.81×10-2 Ω·cm,진일보증가참잡비례도10 wt%,전조솔증대위1.25×10-1 Ω·cm.
