半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
2期
116-118
,共3页
张家鑫%许丽萍%温廷敦%王忠斌
張傢鑫%許麗萍%溫廷敦%王忠斌
장가흠%허려평%온정돈%왕충빈
量子阱红外探测器%电子干涉模型%单轴应力%应变%吸收波长
量子阱紅外探測器%電子榦涉模型%單軸應力%應變%吸收波長
양자정홍외탐측기%전자간섭모형%단축응력%응변%흡수파장
研究了单轴压应力对GaAs/AlGaAs/GaAs 量子阱红外探测器(QWIP)吸收波长的影响.以量子阱电子干涉方法以及单轴压应力作用下量子阱应变理论为基础,分析了GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱导带中子能级与应变的关系.理论上计算了单轴应力下四个QWIP吸收波长与应变的关系.结果表明,E1与E<1>能级之间的吸收波长和E(1)与EF能级之间的吸收波长随应变的增大而减小的幅度比E1与EF能级之间的吸收波长和E(0)与E1能级之间吸收波长随应变的增大减小的幅度大.
研究瞭單軸壓應力對GaAs/AlGaAs/GaAs 量子阱紅外探測器(QWIP)吸收波長的影響.以量子阱電子榦涉方法以及單軸壓應力作用下量子阱應變理論為基礎,分析瞭GaAs/AlGaAs/GaAs量子阱導帶中子能級與應變的關繫.理論上計算瞭單軸應力下四箇QWIP吸收波長與應變的關繫.結果錶明,E1與E<1>能級之間的吸收波長和E(1)與EF能級之間的吸收波長隨應變的增大而減小的幅度比E1與EF能級之間的吸收波長和E(0)與E1能級之間吸收波長隨應變的增大減小的幅度大.
연구료단축압응력대GaAs/AlGaAs/GaAs 양자정홍외탐측기(QWIP)흡수파장적영향.이양자정전자간섭방법이급단축압응력작용하양자정응변이론위기출,분석료GaAs/AlGaAs/GaAs양자정도대중자능급여응변적관계.이론상계산료단축응력하사개QWIP흡수파장여응변적관계.결과표명,E1여E<1>능급지간적흡수파장화E(1)여EF능급지간적흡수파장수응변적증대이감소적폭도비E1여EF능급지간적흡수파장화E(0)여E1능급지간흡수파장수응변적증대감소적폭도대.
