半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
3期
212-215,234
,共5页
光致发光%Ge,Al共掺SiO2复合薄膜%PL谱%缺陷中心%磁控溅射
光緻髮光%Ge,Al共摻SiO2複閤薄膜%PL譜%缺陷中心%磁控濺射
광치발광%Ge,Al공참SiO2복합박막%PL보%결함중심%자공천사
用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料.经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰.通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因.实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率.
用射頻磁控濺射法製備Ge,Al共摻SiO2複閤薄膜併以不同溫度進行退火,得到具有特定光緻髮光性質的複閤材料.經600℃退火的薄膜樣品在260 nm譜線激髮下,主要有398和494 nm髮光峰.通過對樣品的X射線衍射譜和X射線光電子能譜的測試,確定瞭薄膜的結構特徵,同時對觀察到的光緻髮光從理論上做瞭重點分析,認為雙重配位的Si孤對中心和GeO色心中的三重激髮態到基態(T1→S0)之間的輻射躍遷分彆是產生414和398 nm髮光峰的主要原因.實驗結果錶明,Al的摻入可能在GeO2晶粒中引入瞭新缺陷能級,從而產生494 nm這一特殊的髮光帶,同時Al的摻入也提高瞭398 nm髮光峰的髮光效率.
용사빈자공천사법제비Ge,Al공참SiO2복합박막병이불동온도진행퇴화,득도구유특정광치발광성질적복합재료.경600℃퇴화적박막양품재260 nm보선격발하,주요유398화494 nm발광봉.통과대양품적X사선연사보화X사선광전자능보적측시,학정료박막적결구특정,동시대관찰도적광치발광종이론상주료중점분석,인위쌍중배위적Si고대중심화GeO색심중적삼중격발태도기태(T1→S0)지간적복사약천분별시산생414화398 nm발광봉적주요원인.실험결과표명,Al적참입가능재GeO2정립중인입료신결함능급,종이산생494 nm저일특수적발광대,동시Al적참입야제고료398 nm발광봉적발광효솔.
