真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
3期
200-203
,共4页
李飞%李社强%江南%石晓光%冯克成
李飛%李社彊%江南%石曉光%馮剋成
리비%리사강%강남%석효광%풍극성
碳纳米管%介质阻挡放电%等离子体增强化学气相沉积%镍催化
碳納米管%介質阻擋放電%等離子體增彊化學氣相沉積%鎳催化
탄납미관%개질조당방전%등리자체증강화학기상침적%얼최화
在大气压、较低温度下合成碳纳米管(CNTs),对于大规模的工业生产具有重要的意义.本文介绍了一种介质阻挡放电等离子体增强化学气相沉积(DBD-PECVD)的方法,并利用该方法制备碳纳米管.实验是在约0.5个大气压、700℃下,通入氢气和甲烷的混合气体(CH4/H2为1∶10~1∶20),产生DBD等离子体;衬底为硅片;催化剂是用磁控溅射制备的Ni/Al薄膜,厚度分别为3nm和10nm.在扫描电镜下观察发现,碳纳米管的生长符合底端生长模式.在透射电镜下观察,碳纳米管没有竹节状结构.拉曼光谱分析表明,这种碳纳米管的结构缺陷比较多.
在大氣壓、較低溫度下閤成碳納米管(CNTs),對于大規模的工業生產具有重要的意義.本文介紹瞭一種介質阻擋放電等離子體增彊化學氣相沉積(DBD-PECVD)的方法,併利用該方法製備碳納米管.實驗是在約0.5箇大氣壓、700℃下,通入氫氣和甲烷的混閤氣體(CH4/H2為1∶10~1∶20),產生DBD等離子體;襯底為硅片;催化劑是用磁控濺射製備的Ni/Al薄膜,厚度分彆為3nm和10nm.在掃描電鏡下觀察髮現,碳納米管的生長符閤底耑生長模式.在透射電鏡下觀察,碳納米管沒有竹節狀結構.拉曼光譜分析錶明,這種碳納米管的結構缺陷比較多.
재대기압、교저온도하합성탄납미관(CNTs),대우대규모적공업생산구유중요적의의.본문개소료일충개질조당방전등리자체증강화학기상침적(DBD-PECVD)적방법,병이용해방법제비탄납미관.실험시재약0.5개대기압、700℃하,통입경기화갑완적혼합기체(CH4/H2위1∶10~1∶20),산생DBD등리자체;츤저위규편;최화제시용자공천사제비적Ni/Al박막,후도분별위3nm화10nm.재소묘전경하관찰발현,탄납미관적생장부합저단생장모식.재투사전경하관찰,탄납미관몰유죽절상결구.랍만광보분석표명,저충탄납미관적결구결함비교다.