线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性
선형의합재X사선연사연구GaN박막재료결구시적필요성
Necessity of Profile-Fitting when Using X-Ray Diffraction to Analyze GaN Thin Films
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 8期 1378-1381 ,共4页

    陈志涛%徐科%杨志坚%苏月永%潘尧波%杨学林%张酣%张国义

    진지도%서과%양지견%소월영%반요파%양학림%장감%장국의

    高分辨XRD%摇摆曲线%穿透位错 高分辨XRD%搖襬麯線%穿透位錯
    고분변XRD%요파곡선%천투위착
    利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
    이용고분변X사선연사의(XRD)분석료장시간퇴화전후적GaN양품.통과대각개양품적(0002)면요파곡선진행선형의합급분석,발현수연퇴화후요파곡선적반봉관변대,단면외경사각(tilt)적치각변소,종이라형천투위착(TD)밀도변소,저여화학부식실험적결과일치.아문적결과표명,선형의합재이용XRD연구GaN박막재료결구적과정중시십분필요적,이불능용요파곡선적전관직접표정TD밀도.
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