河南师范大学学报（自然科学版）
河南師範大學學報（自然科學版）
하남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HENAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2007年
2期
66-68,72
,共4页
台阶%极性%6H-SiC%GaN
檯階%極性%6H-SiC%GaN
태계%겁성%6H-SiC%GaN
用从头计算方法总能理论研究了6H-SiC(0001)(√3×√3)R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性.计算结果表明: GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构;6H-SiC(0001)衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配 (SMBs),而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除.
用從頭計算方法總能理論研究瞭6H-SiC(0001)(√3×√3)R30°襯底上生長的GaN薄膜的界麵結構特性.計算結果錶明: GaN膜為Ga極性的纖鋅礦結構;6H-SiC(0001)襯底錶麵檯階引起的GaN島閤併在薄膜中產生邊界堆垛失配 (SMBs),而這種SMBs缺陷隨著薄膜生長厚度的增加可以消除.
용종두계산방법총능이론연구료6H-SiC(0001)(√3×√3)R30°츤저상생장적GaN박막적계면결구특성.계산결과표명: GaN막위Ga겁성적섬자광결구;6H-SiC(0001)츤저표면태계인기적GaN도합병재박막중산생변계퇴타실배 (SMBs),이저충SMBs결함수착박막생장후도적증가가이소제.
