电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
3期
794-798
,共5页
郭天雷%韩郑生%海潮和%周小茵%李多力%赵立新
郭天雷%韓鄭生%海潮和%週小茵%李多力%趙立新
곽천뢰%한정생%해조화%주소인%리다력%조립신
总剂量辐照%静态随机存储器%工艺集成%加固
總劑量輻照%靜態隨機存儲器%工藝集成%加固
총제량복조%정태수궤존저기%공예집성%가고
对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns.
對PDSOI CMOS 器件及電路進行總劑量輻照的加固勢必會引起其性能下降,這就需要在器件及電路加固和其性能之間進行摺中.從工藝集成的角度,對PDSOI CMOS器件和電路的總劑量輻照敏感區域:正柵氧化層、場區氧化層及埋氧層提齣瞭摺中的方法.採用此種方法研製瞭抗總劑量輻照PDSOI SRAM ,進行總劑量為2×105 rad(Si)的輻照後SRAM的各項功能測試均通過,靜態電流的變化滿足設計要求,取數時間:輻照前為26.3 ns;輻照後僅為26.7 ns.
대PDSOI CMOS 기건급전로진행총제량복조적가고세필회인기기성능하강,저취수요재기건급전로가고화기성능지간진행절중.종공예집성적각도,대PDSOI CMOS기건화전로적총제량복조민감구역:정책양화층、장구양화층급매양층제출료절중적방법.채용차충방법연제료항총제량복조PDSOI SRAM ,진행총제량위2×105 rad(Si)적복조후SRAM적각항공능측시균통과,정태전류적변화만족설계요구,취수시간:복조전위26.3 ns;복조후부위26.7 ns.
