固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
351-355
,共5页
砷化镓功率放大器%Ka波段%微波单片集成电路
砷化鎵功率放大器%Ka波段%微波單片集成電路
신화가공솔방대기%Ka파단%미파단편집성전로
报道了一款采用0.15 μm GaAs功率MMIC工艺研制的Ka波段功率放大器芯片.芯片采用四级放大拓扑结构,在29～32 GHz频带范围内6V工作条件下线性增益25 dB,线性增益平坦度小于±0.75 dB;饱和输出功率大于5W,饱和效率大于20％,功率增益大于22 dB;1 dB压缩点输出功率大于36.5 dBm,效率大于18％.
報道瞭一款採用0.15 μm GaAs功率MMIC工藝研製的Ka波段功率放大器芯片.芯片採用四級放大拓撲結構,在29～32 GHz頻帶範圍內6V工作條件下線性增益25 dB,線性增益平坦度小于±0.75 dB;飽和輸齣功率大于5W,飽和效率大于20％,功率增益大于22 dB;1 dB壓縮點輸齣功率大于36.5 dBm,效率大于18％.
보도료일관채용0.15 μm GaAs공솔MMIC공예연제적Ka파단공솔방대기심편.심편채용사급방대탁복결구,재29～32 GHz빈대범위내6V공작조건하선성증익25 dB,선성증익평탄도소우±0.75 dB;포화수출공솔대우5W,포화효솔대우20％,공솔증익대우22 dB;1 dB압축점수출공솔대우36.5 dBm,효솔대우18％.
