太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2003年
z1期
86-89
,共4页
涂洁磊%陈庭金%章晨静%吴长树%施兆顺
塗潔磊%陳庭金%章晨靜%吳長樹%施兆順
도길뢰%진정금%장신정%오장수%시조순
太阳电池%GsAs/Si薄膜%绒面%柱状结构
太暘電池%GsAs/Si薄膜%絨麵%柱狀結構
태양전지%GsAs/Si박막%융면%주상결구
该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.
該文介紹以單晶Si為襯底,熱壁外延製備適閤作太暘電池的GaAs多晶薄膜.採用電子探針(EPMA)測定薄膜的組分、錶麵與剖麵形貌,x射線衍射(XRD)分析生長薄膜的結構特性.併分析瞭各種工藝條件對GaAs薄膜結構特性的影響,得齣製備錶麵呈絨麵結構、晶粒為柱狀結構、可用作廉價、高效GaAs太暘電池襯底的多晶薄膜材料的最佳生長條件:源溫為900℃,襯底溫度為700℃,生長時間為3h.
해문개소이단정Si위츤저,열벽외연제비괄합작태양전지적GaAs다정박막.채용전자탐침(EPMA)측정박막적조분、표면여부면형모,x사선연사(XRD)분석생장박막적결구특성.병분석료각충공예조건대GaAs박막결구특성적영향,득출제비표면정융면결구、정립위주상결구、가용작렴개、고효GaAs태양전지츤저적다정박막재료적최가생장조건:원온위900℃,츤저온도위700℃,생장시간위3h.
