发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
4期
507-512
,共6页
屈玉华%江德生%边历峰%孙征%牛智川%徐晓华
屈玉華%江德生%邊歷峰%孫徵%牛智川%徐曉華
굴옥화%강덕생%변력봉%손정%우지천%서효화
量子阱%光致发光%GaAsSb/GaInAs
量子阱%光緻髮光%GaAsSb/GaInAs
양자정%광치발광%GaAsSb/GaInAs
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段发光的潜力而受到关注,我们研究了一系列MBE生长的GaAsSb/GaInAs量子阱样品的光致发光,发现所有样品在室温下都出现了一个较强的、波长在1.3 μm附近的低能峰和一个较弱的高能峰.变温及变激发功率的荧光谱测量研究发现,高能峰只有在150 K以上的测试条件下才能观测到,并且其相对强度随着温度的升高而增加,其调制光谱显示出第一类跃迁的特征.他们建立了理论模型,计算的结果支持将这一发光峰指派为GaInAs层内电子的基态与重空穴激发态间的跃迁,并与实验数据吻合得很好.同时初步讨论了改善1.3μm的低能峰发光的方法.
嵌入GaAs中的GaAsSb/GaInAs量子阱因其在1.3～1.5 μm光通信波段髮光的潛力而受到關註,我們研究瞭一繫列MBE生長的GaAsSb/GaInAs量子阱樣品的光緻髮光,髮現所有樣品在室溫下都齣現瞭一箇較彊的、波長在1.3 μm附近的低能峰和一箇較弱的高能峰.變溫及變激髮功率的熒光譜測量研究髮現,高能峰隻有在150 K以上的測試條件下纔能觀測到,併且其相對彊度隨著溫度的升高而增加,其調製光譜顯示齣第一類躍遷的特徵.他們建立瞭理論模型,計算的結果支持將這一髮光峰指派為GaInAs層內電子的基態與重空穴激髮態間的躍遷,併與實驗數據吻閤得很好.同時初步討論瞭改善1.3μm的低能峰髮光的方法.
감입GaAs중적GaAsSb/GaInAs양자정인기재1.3～1.5 μm광통신파단발광적잠력이수도관주,아문연구료일계렬MBE생장적GaAsSb/GaInAs양자정양품적광치발광,발현소유양품재실온하도출현료일개교강적、파장재1.3 μm부근적저능봉화일개교약적고능봉.변온급변격발공솔적형광보측량연구발현,고능봉지유재150 K이상적측시조건하재능관측도,병차기상대강도수착온도적승고이증가,기조제광보현시출제일류약천적특정.타문건립료이론모형,계산적결과지지장저일발광봉지파위GaInAs층내전자적기태여중공혈격발태간적약천,병여실험수거문합득흔호.동시초보토론료개선1.3μm적저능봉발광적방법.
