固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
4期
466-470
,共5页
贾高升%许铭真%谭长华%段小蓉
賈高升%許銘真%譚長華%段小蓉
가고승%허명진%담장화%단소용
金属-氧化物-半导体器件%直接隧穿栅电流%比例差分谱%多缺陷
金屬-氧化物-半導體器件%直接隧穿柵電流%比例差分譜%多缺陷
금속-양화물-반도체기건%직접수천책전류%비례차분보%다결함
应用直接隧道比例差分(DTPDO)谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷.实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰.这意味着在超薄栅氧化层退化的过程中有三种氧化层高场诱生缺陷共存.研究结果表明,三种缺陷的饱和缺陷密度均随着应力电压和应力温度的增加而增加.三种缺陷的特征产生时间常数与器件的实验温度、所加的应力电压和氧化层的失效时间相关.
應用直接隧道比例差分(DTPDO)譜技術研究瞭深亞微米MOS器件超薄柵氧化層的應力誘生缺陷.實驗結果髮現超薄柵氧化層直接隧道柵電流的比例差分譜存在明顯的三箇譜峰.這意味著在超薄柵氧化層退化的過程中有三種氧化層高場誘生缺陷共存.研究結果錶明,三種缺陷的飽和缺陷密度均隨著應力電壓和應力溫度的增加而增加.三種缺陷的特徵產生時間常數與器件的實驗溫度、所加的應力電壓和氧化層的失效時間相關.
응용직접수도비례차분(DTPDO)보기술연구료심아미미MOS기건초박책양화층적응력유생결함.실험결과발현초박책양화층직접수도책전류적비례차분보존재명현적삼개보봉.저의미착재초박책양화층퇴화적과정중유삼충양화층고장유생결함공존.연구결과표명,삼충결함적포화결함밀도균수착응력전압화응력온도적증가이증가.삼충결함적특정산생시간상수여기건적실험온도、소가적응력전압화양화층적실효시간상관.
