电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2007年
2期
110-113
,共4页
马圆%尤力平%张小平%俞大鹏
馬圓%尤力平%張小平%俞大鵬
마원%우력평%장소평%유대붕
纳米晶MOSFET内存%扫描透射显微方法%量子点成分分布
納米晶MOSFET內存%掃描透射顯微方法%量子點成分分佈
납미정MOSFET내존%소묘투사현미방법%양자점성분분포
通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.
通過自組裝生長併結閤兩步退火處理,在SiO2錶麵得到瞭Ti摻雜的Si納米晶粒量子點.採用高分辨顯微分析方法,X射線能譜線掃描和Z襯度掃描透射顯微方法對一繫列橫截麵樣品進行詳細研究,得到瞭量子點內部的成分分佈,相關的試驗數據吻閤一緻,驗證瞭Si量子點MOSFET的結構模型.
통과자조장생장병결합량보퇴화처리,재SiO2표면득도료Ti참잡적Si납미정립양자점.채용고분변현미분석방법,X사선능보선소묘화Z츤도소묘투사현미방법대일계렬횡절면양품진행상세연구,득도료양자점내부적성분분포,상관적시험수거문합일치,험증료Si양자점MOSFET적결구모형.
