电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
4期
61-63
,共3页
韦军%周菊英%李政林%林艳%古家虹
韋軍%週菊英%李政林%林豔%古傢虹
위군%주국영%리정림%림염%고가홍
无机非金属材料%共沉淀%三氧化二铟%纳米粒子%光催化%降解率
無機非金屬材料%共沉澱%三氧化二銦%納米粒子%光催化%降解率
무궤비금속재료%공침정%삼양화이인%납미입자%광최화%강해솔
采用液相沉淀法制备纳米In2O3颗粒.以0.33 mol/L InCl3与氨水在70 ℃下制取氢氧化铟胶体,用正丁醇与胶体共沸蒸馏除去表面的水分和羟基以防止颗粒硬团聚,经110 ℃干燥和1 100 ℃煅烧后制得纳米In2O3颗粒.研究了其光催化性能.结果表明:制备的In2O3为立方晶系,粒子呈球形,粒径为100 nm左右.经过6 h的光催化降解,苯酚的降解率可达60%.讨论了In2O3纳米粒子光催化降解苯酚的原理,并给出其降解反应方程式.
採用液相沉澱法製備納米In2O3顆粒.以0.33 mol/L InCl3與氨水在70 ℃下製取氫氧化銦膠體,用正丁醇與膠體共沸蒸餾除去錶麵的水分和羥基以防止顆粒硬糰聚,經110 ℃榦燥和1 100 ℃煅燒後製得納米In2O3顆粒.研究瞭其光催化性能.結果錶明:製備的In2O3為立方晶繫,粒子呈毬形,粒徑為100 nm左右.經過6 h的光催化降解,苯酚的降解率可達60%.討論瞭In2O3納米粒子光催化降解苯酚的原理,併給齣其降解反應方程式.
채용액상침정법제비납미In2O3과립.이0.33 mol/L InCl3여안수재70 ℃하제취경양화인효체,용정정순여효체공비증류제거표면적수분화간기이방지과립경단취,경110 ℃간조화1 100 ℃단소후제득납미In2O3과립.연구료기광최화성능.결과표명:제비적In2O3위립방정계,입자정구형,립경위100 nm좌우.경과6 h적광최화강해,분분적강해솔가체60%.토론료In2O3납미입자광최화강해분분적원리,병급출기강해반응방정식.
