半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
10期
1006-1010
,共5页
齐瑞娟%虞勤琴%段淑卿%王玉科%李明%郭强
齊瑞娟%虞勤琴%段淑卿%王玉科%李明%郭彊
제서연%우근금%단숙경%왕옥과%리명%곽강
铝焊垫%俄歇电子能谱仪%氟腐蚀%失效分析
鋁銲墊%俄歇電子能譜儀%氟腐蝕%失效分析
려한점%아헐전자능보의%불부식%실효분석
Al焊垫的质量关系着半导体器件及封装的质量和可靠性.多项研究表明Al焊垫表面的沾污增强了Al焊垫腐蚀的可能性,特别是焊垫表面刻蚀后残留的F元素,极容易在焊垫表面引起各种类型得腐蚀.应用俄歇电子能谱仪,研究了两种发生在焊垫表面的腐蚀现象,结合其他失效分析手段,分析了Al焊垫表面的F腐蚀的成因.研究结果表明,被腐蚀的Al焊垫表面F元素的相对含量较高,腐蚀缺陷所在区域的氧化层大为加厚,将直接影响到后期封装过程中Al和相应封装材料的金属键合,造成潜在的芯片失效.
Al銲墊的質量關繫著半導體器件及封裝的質量和可靠性.多項研究錶明Al銲墊錶麵的霑汙增彊瞭Al銲墊腐蝕的可能性,特彆是銲墊錶麵刻蝕後殘留的F元素,極容易在銲墊錶麵引起各種類型得腐蝕.應用俄歇電子能譜儀,研究瞭兩種髮生在銲墊錶麵的腐蝕現象,結閤其他失效分析手段,分析瞭Al銲墊錶麵的F腐蝕的成因.研究結果錶明,被腐蝕的Al銲墊錶麵F元素的相對含量較高,腐蝕缺陷所在區域的氧化層大為加厚,將直接影響到後期封裝過程中Al和相應封裝材料的金屬鍵閤,造成潛在的芯片失效.
Al한점적질량관계착반도체기건급봉장적질량화가고성.다항연구표명Al한점표면적첨오증강료Al한점부식적가능성,특별시한점표면각식후잔류적F원소,겁용역재한점표면인기각충류형득부식.응용아헐전자능보의,연구료량충발생재한점표면적부식현상,결합기타실효분석수단,분석료Al한점표면적F부식적성인.연구결과표명,피부식적Al한점표면F원소적상대함량교고,부식결함소재구역적양화층대위가후,장직접영향도후기봉장과정중Al화상응봉장재료적금속건합,조성잠재적심편실효.
