重庆工学院学报(自然科学版)
重慶工學院學報(自然科學版)
중경공학원학보(자연과학판)
JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2009年
12期
176-178
,共3页
李蕊%杨双健%王宗满%彭波%陈海俊
李蕊%楊雙健%王宗滿%彭波%陳海俊
리예%양쌍건%왕종만%팽파%진해준
SiGe%HBT%电子温度%基区渡越时间
SiGe%HBT%電子溫度%基區渡越時間
SiGe%HBT%전자온도%기구도월시간
讨论了采用能量传输模型时的SiGe HBT基区电子温度分布,以及电子温度对基区渡越时间的影响.计算结果表明:基区电子温度呈现明显的不均匀分布,从发射极侧到集电极侧逐渐增大;电子温度分布主要由基区Ge分布决定,而基区掺杂对电子温度的影响不大.考虑基区电子温度分布时基区渡越时间减小,在较大的Ge分布梯度下,电子温度对基区渡越时间的影响不可忽略.
討論瞭採用能量傳輸模型時的SiGe HBT基區電子溫度分佈,以及電子溫度對基區渡越時間的影響.計算結果錶明:基區電子溫度呈現明顯的不均勻分佈,從髮射極側到集電極側逐漸增大;電子溫度分佈主要由基區Ge分佈決定,而基區摻雜對電子溫度的影響不大.攷慮基區電子溫度分佈時基區渡越時間減小,在較大的Ge分佈梯度下,電子溫度對基區渡越時間的影響不可忽略.
토론료채용능량전수모형시적SiGe HBT기구전자온도분포,이급전자온도대기구도월시간적영향.계산결과표명:기구전자온도정현명현적불균균분포,종발사겁측도집전겁측축점증대;전자온도분포주요유기구Ge분포결정,이기구참잡대전자온도적영향불대.고필기구전자온도분포시기구도월시간감소,재교대적Ge분포제도하,전자온도대기구도월시간적영향불가홀략.
