电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2012年
3期
31-34
,共4页
翟旺建%傅刚%刘志宇%杨小妮
翟旺建%傅剛%劉誌宇%楊小妮
적왕건%부강%류지우%양소니
AZO靶材%烧结温度%直流磁控溅射%薄膜
AZO靶材%燒結溫度%直流磁控濺射%薄膜
AZO파재%소결온도%직류자공천사%박막
以Al(NO3)3 ·9H2O和ZnO粉体为原料,采用常压烧结方法制备了高致密度和高导电性的ZnO∶Al(AZO)陶瓷靶材.研究了烧结温度对AZO靶材微观结构、相对密度和电性能的影响.当Al和Zn的摩尔比为3∶100,烧结温度为1 400℃时,所制AZO靶材的致密度达96％,电阻率为2.5×10-2Ω ·cm.以烧结温度为1400℃的AZO陶瓷靶为靶材并通过直流磁控溅射在玻璃基片上制备出了高度c轴择优取向的AZO薄膜,其可见光透过率为90％,禁带宽度为3.63 eV,电阻率为1.7×10-3 Q·cm.
以Al(NO3)3 ·9H2O和ZnO粉體為原料,採用常壓燒結方法製備瞭高緻密度和高導電性的ZnO∶Al(AZO)陶瓷靶材.研究瞭燒結溫度對AZO靶材微觀結構、相對密度和電性能的影響.噹Al和Zn的摩爾比為3∶100,燒結溫度為1 400℃時,所製AZO靶材的緻密度達96％,電阻率為2.5×10-2Ω ·cm.以燒結溫度為1400℃的AZO陶瓷靶為靶材併通過直流磁控濺射在玻璃基片上製備齣瞭高度c軸擇優取嚮的AZO薄膜,其可見光透過率為90％,禁帶寬度為3.63 eV,電阻率為1.7×10-3 Q·cm.
이Al(NO3)3 ·9H2O화ZnO분체위원료,채용상압소결방법제비료고치밀도화고도전성적ZnO∶Al(AZO)도자파재.연구료소결온도대AZO파재미관결구、상대밀도화전성능적영향.당Al화Zn적마이비위3∶100,소결온도위1 400℃시,소제AZO파재적치밀도체96％,전조솔위2.5×10-2Ω ·cm.이소결온도위1400℃적AZO도자파위파재병통과직류자공천사재파리기편상제비출료고도c축택우취향적AZO박막,기가견광투과솔위90％,금대관도위3.63 eV,전조솔위1.7×10-3 Q·cm.
