半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
1期
25-28
,共4页
紫外探测%SiC%宽禁带%肖特基
紫外探測%SiC%寬禁帶%肖特基
자외탐측%SiC%관금대%초특기
采用微电子平面工艺,用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au(或Ni)形成肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金在背底作欧姆接触,制备出Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光电探测器.测试分析了这两种器件的光谱响应特性及其I-V特性.其光谱响应范围均是200～400 nm,室温无偏压下,Au/n-4H-SiC的光谱响应峰值在310 nm,光谱响应半宽是73 nm,室温7 V偏压下光谱响应峰值86.72 mA/W,量子效率可达37.15%,Ni/n-4H-SiC相应的参数分别为300 nm、83 nm、45.84 mA/W及18.98%.Au/n-4H-SiC室温下正向开启电压0.81 V,Ni/n-4H-SiC是0.52 V,两者反向击穿电压均大于200 V,反向漏电流小于1×10-10 A.
採用微電子平麵工藝,用寬禁帶半導體n-4H-SiC和金屬Au(或Ni)形成肖特基接觸,Ti、Ni、Ag閤金在揹底作歐姆接觸,製備齣Au/n-4H-SiC和Ni/n-4H-SiC肖特基紫外光電探測器.測試分析瞭這兩種器件的光譜響應特性及其I-V特性.其光譜響應範圍均是200～400 nm,室溫無偏壓下,Au/n-4H-SiC的光譜響應峰值在310 nm,光譜響應半寬是73 nm,室溫7 V偏壓下光譜響應峰值86.72 mA/W,量子效率可達37.15%,Ni/n-4H-SiC相應的參數分彆為300 nm、83 nm、45.84 mA/W及18.98%.Au/n-4H-SiC室溫下正嚮開啟電壓0.81 V,Ni/n-4H-SiC是0.52 V,兩者反嚮擊穿電壓均大于200 V,反嚮漏電流小于1×10-10 A.
채용미전자평면공예,용관금대반도체n-4H-SiC화금속Au(혹Ni)형성초특기접촉,Ti、Ni、Ag합금재배저작구모접촉,제비출Au/n-4H-SiC화Ni/n-4H-SiC초특기자외광전탐측기.측시분석료저량충기건적광보향응특성급기I-V특성.기광보향응범위균시200～400 nm,실온무편압하,Au/n-4H-SiC적광보향응봉치재310 nm,광보향응반관시73 nm,실온7 V편압하광보향응봉치86.72 mA/W,양자효솔가체37.15%,Ni/n-4H-SiC상응적삼수분별위300 nm、83 nm、45.84 mA/W급18.98%.Au/n-4H-SiC실온하정향개계전압0.81 V,Ni/n-4H-SiC시0.52 V,량자반향격천전압균대우200 V,반향루전류소우1×10-10 A.
