微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
4期
428-431
,共4页
闫欣%张洪波%张大明%侯阿临%刘鸿飞%衣茂斌
閆訢%張洪波%張大明%侯阿臨%劉鴻飛%衣茂斌
염흔%장홍파%장대명%후아림%류홍비%의무빈
外部电光测量%信号幅度校准%参考电极
外部電光測量%信號幅度校準%參攷電極
외부전광측량%신호폭도교준%삼고전겁
采用静态有限差分法[1],求解了电光探测时探头内部的电场分布;发现了电光信号随布线的变化,设计了一系列不同布线的电极;采用ITO导电膜进行电光信号幅度校准并减少串扰.理论分析与实验结果符合得很好.最后,分析了ITO导电膜对CMOS反相器高频特性的影响.
採用靜態有限差分法[1],求解瞭電光探測時探頭內部的電場分佈;髮現瞭電光信號隨佈線的變化,設計瞭一繫列不同佈線的電極;採用ITO導電膜進行電光信號幅度校準併減少串擾.理論分析與實驗結果符閤得很好.最後,分析瞭ITO導電膜對CMOS反相器高頻特性的影響.
채용정태유한차분법[1],구해료전광탐측시탐두내부적전장분포;발현료전광신호수포선적변화,설계료일계렬불동포선적전겁;채용ITO도전막진행전광신호폭도교준병감소천우.이론분석여실험결과부합득흔호.최후,분석료ITO도전막대CMOS반상기고빈특성적영향.
