航空材料学报
航空材料學報
항공재료학보
JOURNAL OF AERONAUTICAL MATERIALS
2008年
2期
50-54
,共5页
黄浩%陈大明%仝建峰%李宝伟
黃浩%陳大明%仝建峰%李寶偉
황호%진대명%동건봉%리보위
化学气相沉积%SiC涂层
化學氣相沉積%SiC塗層
화학기상침적%SiC도층
研究CH3SiCl3-H2-Ar体系中在石墨表面化学气相沉积SiC涂层工艺,并对涂层形貌进行SEM分析.考察沉积温度、气体比例、气体流量以及稀释气体含量对化学气相沉积SiC涂层的显微结构的影响.结果表明,在温度1100℃,H2∶ MTS=5 ∶ 3,气体流量8L/min,稀释气体1L/min时,制备的涂层致密光滑.其中涂层的形貌对温度最敏感,当沉积温度达到1100℃时,CVD SiC涂层表面致密且光滑.
研究CH3SiCl3-H2-Ar體繫中在石墨錶麵化學氣相沉積SiC塗層工藝,併對塗層形貌進行SEM分析.攷察沉積溫度、氣體比例、氣體流量以及稀釋氣體含量對化學氣相沉積SiC塗層的顯微結構的影響.結果錶明,在溫度1100℃,H2∶ MTS=5 ∶ 3,氣體流量8L/min,稀釋氣體1L/min時,製備的塗層緻密光滑.其中塗層的形貌對溫度最敏感,噹沉積溫度達到1100℃時,CVD SiC塗層錶麵緻密且光滑.
연구CH3SiCl3-H2-Ar체계중재석묵표면화학기상침적SiC도층공예,병대도층형모진행SEM분석.고찰침적온도、기체비례、기체류량이급희석기체함량대화학기상침적SiC도층적현미결구적영향.결과표명,재온도1100℃,H2∶ MTS=5 ∶ 3,기체류량8L/min,희석기체1L/min시,제비적도층치밀광활.기중도층적형모대온도최민감,당침적온도체도1100℃시,CVD SiC도층표면치밀차광활.
