电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
7期
53-56
,共4页
乔文杰%陈培%贺雅飞%陈小英
喬文傑%陳培%賀雅飛%陳小英
교문걸%진배%하아비%진소영
无机非金属材料%电子浆料%无铅玻璃粉%Bi2O3
無機非金屬材料%電子漿料%無鉛玻璃粉%Bi2O3
무궤비금속재료%전자장료%무연파리분%Bi2O3
采用高温熔融水淬的方法,制备了w(Bi2O3)为50%～65%,w(B2O3)为25%～40%的Sb2O3掺杂Bi2O3-B2O3系玻璃粉体,研究了Bi2O3和B2O3含量对所制玻璃的玻璃转变温度tg、软化温度tr,线膨胀系数α1以及电阻率ρ等的影响.结果表明,随着w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr缓慢下降并维持在490℃左右,熔封温度为550～600℃,α1从62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80～200℃,玻璃的ρ为1011～1013Ω·cm.
採用高溫鎔融水淬的方法,製備瞭w(Bi2O3)為50%～65%,w(B2O3)為25%～40%的Sb2O3摻雜Bi2O3-B2O3繫玻璃粉體,研究瞭Bi2O3和B2O3含量對所製玻璃的玻璃轉變溫度tg、軟化溫度tr,線膨脹繫數α1以及電阻率ρ等的影響.結果錶明,隨著w(Bi2O3)的增加,玻璃的tr緩慢下降併維持在490℃左右,鎔封溫度為550～600℃,α1從62.3×10-7/℃上升至69.1×10-7/℃;在80～200℃,玻璃的ρ為1011～1013Ω·cm.
채용고온용융수쉬적방법,제비료w(Bi2O3)위50%～65%,w(B2O3)위25%～40%적Sb2O3참잡Bi2O3-B2O3계파리분체,연구료Bi2O3화B2O3함량대소제파리적파리전변온도tg、연화온도tr,선팽창계수α1이급전조솔ρ등적영향.결과표명,수착w(Bi2O3)적증가,파리적tr완만하강병유지재490℃좌우,용봉온도위550～600℃,α1종62.3×10-7/℃상승지69.1×10-7/℃;재80～200℃,파리적ρ위1011～1013Ω·cm.
