人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
2期
338-342
,共5页
殷官超%夏冬林%马晓%冯晋阳%赵修建
慇官超%夏鼕林%馬曉%馮晉暘%趙脩建
은관초%하동림%마효%풍진양%조수건
氢化非晶硅薄膜%有序度%折射率%拉曼光谱%暗电导率
氫化非晶硅薄膜%有序度%摺射率%拉曼光譜%暗電導率
경화비정규박막%유서도%절사솔%랍만광보%암전도솔
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,以氢稀释的硅烷(SiH4)为反应气体,磷烷(PH3)为掺杂气体,制备了n型氢化非品硅(a-Si:H)薄膜.研究了辉光放电功率对薄膜微结构和光电性能的影响,采用XRD和拉曼散射光谱对薄膜的微结构进行了表征,薄膜的折射率通过NKD-7000 W光学薄膜系统拟合,薄膜暗电导率利用高阻仪测试.结果表明:在辉光功率30～150 W范国内,所沉积的磷掺杂的硅薄膜为非晶态;非晶态薄膜结构中程有序度随辉光功率的增大先增人后减小,在功牢为100 W时非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的折射率随着辉光功率的增大先增加后减小,在功率为70 W达到最大值3.7;薄膜暗电导率在100 W最大,其最人值为9.32×10-3S/ cm.
採用射頻等離子增彊化學氣相沉積(RF-PECVD)方法,以氫稀釋的硅烷(SiH4)為反應氣體,燐烷(PH3)為摻雜氣體,製備瞭n型氫化非品硅(a-Si:H)薄膜.研究瞭輝光放電功率對薄膜微結構和光電性能的影響,採用XRD和拉曼散射光譜對薄膜的微結構進行瞭錶徵,薄膜的摺射率通過NKD-7000 W光學薄膜繫統擬閤,薄膜暗電導率利用高阻儀測試.結果錶明:在輝光功率30～150 W範國內,所沉積的燐摻雜的硅薄膜為非晶態;非晶態薄膜結構中程有序度隨輝光功率的增大先增人後減小,在功牢為100 W時非晶硅薄膜中程有序程度最高;薄膜的摺射率隨著輝光功率的增大先增加後減小,在功率為70 W達到最大值3.7;薄膜暗電導率在100 W最大,其最人值為9.32×10-3S/ cm.
채용사빈등리자증강화학기상침적(RF-PECVD)방법,이경희석적규완(SiH4)위반응기체,린완(PH3)위참잡기체,제비료n형경화비품규(a-Si:H)박막.연구료휘광방전공솔대박막미결구화광전성능적영향,채용XRD화랍만산사광보대박막적미결구진행료표정,박막적절사솔통과NKD-7000 W광학박막계통의합,박막암전도솔이용고조의측시.결과표명:재휘광공솔30～150 W범국내,소침적적린참잡적규박막위비정태;비정태박막결구중정유서도수휘광공솔적증대선증인후감소,재공뢰위100 W시비정규박막중정유서정도최고;박막적절사솔수착휘광공솔적증대선증가후감소,재공솔위70 W체도최대치3.7;박막암전도솔재100 W최대,기최인치위9.32×10-3S/ cm.
