半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
4期
730-734
,共5页
吕建国%叶志镇%诸葛飞%曾昱嘉%赵炳辉%朱丽萍
呂建國%葉誌鎮%諸葛飛%曾昱嘉%趙炳輝%硃麗萍
려건국%협지진%제갈비%증욱가%조병휘%주려평
N-Al共掺ZnO薄膜%p型传导%N2O生长气氛%直流反应磁控溅射
N-Al共摻ZnO薄膜%p型傳導%N2O生長氣氛%直流反應磁控濺射
N-Al공참ZnO박막%p형전도%N2O생장기분%직류반응자공천사
利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果表明,薄膜中Al的存在显著提高了N的掺杂量,N以N-Al键的形式存在.N-Al共掺ZnO薄膜具有优良的p型传导特性.当Al含量为0.15wt%时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×1017cm-3,电阻率为57.3Ω·cm,Han迁移率为0.43cm2/(V·s).N-Al共掺p型ZnO薄膜具有高度c轴取向,在可见光区域透射率高达90%.
利用直流反應磁控濺射技術製得N-Al共摻的p型ZnO薄膜,N2O為生長氣氛.利用X射線衍射(XRD),Hall實驗,X射線光電子能譜(XPS)和光學透射譜對共摻ZnO薄膜的性能進行研究.結果錶明,薄膜中Al的存在顯著提高瞭N的摻雜量,N以N-Al鍵的形式存在.N-Al共摻ZnO薄膜具有優良的p型傳導特性.噹Al含量為0.15wt%時,共摻ZnO薄膜的電學性能取得最優值,載流子濃度為2.52×1017cm-3,電阻率為57.3Ω·cm,Han遷移率為0.43cm2/(V·s).N-Al共摻p型ZnO薄膜具有高度c軸取嚮,在可見光區域透射率高達90%.
이용직류반응자공천사기술제득N-Al공참적p형ZnO박막,N2O위생장기분.이용X사선연사(XRD),Hall실험,X사선광전자능보(XPS)화광학투사보대공참ZnO박막적성능진행연구.결과표명,박막중Al적존재현저제고료N적참잡량,N이N-Al건적형식존재.N-Al공참ZnO박막구유우량적p형전도특성.당Al함량위0.15wt%시,공참ZnO박막적전학성능취득최우치,재류자농도위2.52×1017cm-3,전조솔위57.3Ω·cm,Han천이솔위0.43cm2/(V·s).N-Al공참p형ZnO박막구유고도c축취향,재가견광구역투사솔고체90%.
