高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
고공혈농도Mg참잡InGaN외연재료성능적연구
Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2006年 9期 4951-4955 ,共5页

    刘乃鑫%王怀兵%刘建平%牛南辉%张念国%李彤%邢艳辉%韩军%郭霞%沈光地

    류내흠%왕부병%류건평%우남휘%장념국%리동%형염휘%한군%곽하%침광지

    Mg掺杂InGaN%高空穴浓度%光致发光%金属有机物化学气相沉积 Mg摻雜InGaN%高空穴濃度%光緻髮光%金屬有機物化學氣相沉積
    Mg참잡InGaN%고공혈농도%광치발광%금속유궤물화학기상침적
    采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
    채용금속유궤물화학기상침적방법생장득도구유불동Mg참잡농도InxGa1-xN (0≤x≤0.3)외연재료양품. 대양품적전학특성화광학특성진행료계통적연구. 연구발현:재고정Mg참잡농도하,수In조분적제고,양품공혈농도현저제고,최고체2.4×1019cm-3,Mg적활화효솔제고료근량개수량급;통과대Mg참잡InGaN(InGaN:Mg)양품적광치발광(PL)보적분석,해석료InGaN:Mg양품적재류자약천궤리,병학정료양품중Mg수주격활능화심시주능급적위치.
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