半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
661-663
,共3页
绝缘体上硅%动态阈值晶体管%温度特性
絕緣體上硅%動態閾值晶體管%溫度特性
절연체상규%동태역치정체관%온도특성
对比研究了20 μm/0.35 μm的SOI(绝缘体上硅)普通MOS和DTMOS(动态阈值MOS)的温度特性.从20～125℃,普通MOS驱动电流减小了12.2%,而DTMOS驱动电流增大了65.3%.SOI DTMOS降低了垂直沟道方向的电场,减少了载流子表面散射,因此阈值电压随温度减小占主导,驱动电流随着温度升高而增大.SOl DTMOS优秀的温度特性,使之非常适合于低压、低功耗、高温应用.
對比研究瞭20 μm/0.35 μm的SOI(絕緣體上硅)普通MOS和DTMOS(動態閾值MOS)的溫度特性.從20～125℃,普通MOS驅動電流減小瞭12.2%,而DTMOS驅動電流增大瞭65.3%.SOI DTMOS降低瞭垂直溝道方嚮的電場,減少瞭載流子錶麵散射,因此閾值電壓隨溫度減小佔主導,驅動電流隨著溫度升高而增大.SOl DTMOS優秀的溫度特性,使之非常適閤于低壓、低功耗、高溫應用.
대비연구료20 μm/0.35 μm적SOI(절연체상규)보통MOS화DTMOS(동태역치MOS)적온도특성.종20～125℃,보통MOS구동전류감소료12.2%,이DTMOS구동전류증대료65.3%.SOI DTMOS강저료수직구도방향적전장,감소료재류자표면산사,인차역치전압수온도감소점주도,구동전류수착온도승고이증대.SOl DTMOS우수적온도특성,사지비상괄합우저압、저공모、고온응용.
