加热处理的SiC-C涂层注H+前后表面形貌及其Si分布的研究
가열처리적SiC-C도층주H+전후표면형모급기Si분포적연구
The Morphology and Si Depth Profile for the Heat-treated SiC-C Coatings before and after H+ Ion Implantation
  • 万方数据
    表面技术 표면기술
    SURFACE TECHNOLOGY
    2009年 1期 11-13 ,共3页

    杜良%曾俊辉%张东%杜纪富%杨淑勤%任丁%刘宁%黄宁康

    두량%증준휘%장동%두기부%양숙근%임정%류저%황저강

    SiC-C涂层%离子注入%表面形貌%Si深度分布 SiC-C塗層%離子註入%錶麵形貌%Si深度分佈
    SiC-C도층%리자주입%표면형모%Si심도분포
    为了提高放射性废物包装用的不锈钢材料的阻氚性能, 采用离子束混合技术在不锈钢表面沉积低Z材料的SiC-C涂层, 对50%SiC-C涂层进行不同条件的加热处理以及随后进行的剂量为1×1018/cm2H+的注入,研究涂层微观结构的变化,该研究为涂层的实际使用提供科学依据.研究结果表明:离子束混合沉积在不锈钢基体上的50%SiC-C涂层经加热处理后会发生涂层元素的扩散迁移. 随着加热温度的提高,发生颗粒凝聚晶化现象; 氢离子注入会产生非晶化效应,同时导致涂层元素Si向表面及界面的增强迁移.
    위료제고방사성폐물포장용적불수강재료적조천성능, 채용리자속혼합기술재불수강표면침적저Z재료적SiC-C도층, 대50%SiC-C도층진행불동조건적가열처리이급수후진행적제량위1×1018/cm2H+적주입,연구도층미관결구적변화,해연구위도층적실제사용제공과학의거.연구결과표명:리자속혼합침적재불수강기체상적50%SiC-C도층경가열처리후회발생도층원소적확산천이. 수착가열온도적제고,발생과립응취정화현상; 경리자주입회산생비정화효응,동시도치도층원소Si향표면급계면적증강천이.
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