微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2001年
4期
13-15
,共3页
袁凯%杨筱莉%苏秀娣%董岩%詹立升
袁凱%楊篠莉%囌秀娣%董巖%詹立升
원개%양소리%소수제%동암%첨립승
红外胶平面%双层多晶%制造
紅外膠平麵%雙層多晶%製造
홍외효평면%쌍층다정%제조
64×64元IRFPA CMOS读出电路是为红外探测器配套使用的数据处理芯片,用于对红外探测器产生的信号进行积分采样并且串行输出.为提高灵敏度及改善信号质量,取样电路的源跟随器的两个NMOSFET采用了零开启电压;并且采用了双采样结构,用来减小噪声的影响.芯片的数字模块与模拟模块间用电源和电线进行了良好的隔离,减小了相互间的影响.电路工作电压10V,芯片面积5.6×7.9mm2.本文简述了电路功能,重点介绍了该电路的制造工艺,分析了工艺中的重点,即电路采用P型(100)单晶硅衬底、N阱CMOS双层多晶硅双阈值工艺.双层多晶硅用来制作芯片内的电容.第一层多晶硅仅用作电容下极板,第二层多晶硅作电容的上极板、栅和部分连线,为了保证电容值及击穿电压,双层多晶间的介质采用二氧化硅和氮化硅复合层介质等.
64×64元IRFPA CMOS讀齣電路是為紅外探測器配套使用的數據處理芯片,用于對紅外探測器產生的信號進行積分採樣併且串行輸齣.為提高靈敏度及改善信號質量,取樣電路的源跟隨器的兩箇NMOSFET採用瞭零開啟電壓;併且採用瞭雙採樣結構,用來減小譟聲的影響.芯片的數字模塊與模擬模塊間用電源和電線進行瞭良好的隔離,減小瞭相互間的影響.電路工作電壓10V,芯片麵積5.6×7.9mm2.本文簡述瞭電路功能,重點介紹瞭該電路的製造工藝,分析瞭工藝中的重點,即電路採用P型(100)單晶硅襯底、N阱CMOS雙層多晶硅雙閾值工藝.雙層多晶硅用來製作芯片內的電容.第一層多晶硅僅用作電容下極闆,第二層多晶硅作電容的上極闆、柵和部分連線,為瞭保證電容值及擊穿電壓,雙層多晶間的介質採用二氧化硅和氮化硅複閤層介質等.
64×64원IRFPA CMOS독출전로시위홍외탐측기배투사용적수거처리심편,용우대홍외탐측기산생적신호진행적분채양병차천행수출.위제고령민도급개선신호질량,취양전로적원근수기적량개NMOSFET채용료령개계전압;병차채용료쌍채양결구,용래감소조성적영향.심편적수자모괴여모의모괴간용전원화전선진행료량호적격리,감소료상호간적영향.전로공작전압10V,심편면적5.6×7.9mm2.본문간술료전로공능,중점개소료해전로적제조공예,분석료공예중적중점,즉전로채용P형(100)단정규츤저、N정CMOS쌍층다정규쌍역치공예.쌍층다정규용래제작심편내적전용.제일층다정규부용작전용하겁판,제이층다정규작전용적상겁판、책화부분련선,위료보증전용치급격천전압,쌍층다정간적개질채용이양화규화담화규복합층개질등.
