基于MOCVD技术的长波AlGaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器
기우MOCVD기술적장파AlGaAs/GaAs양자정홍외초평면탐측기
AlGaAs/GaAs quantum well infrared photodetector focal plane array based on MOCVD technology
  • 万方数据
    红外与激光工程 홍외여격광공정
    INFRARED AND LASER ENGINEERING
    2007年 4期 435-438 ,共4页

    李献杰%刘英斌%冯震%过帆%赵永林%赵润%周瑞%娄辰%张世祖

    리헌걸%류영빈%풍진%과범%조영림%조윤%주서%루신%장세조

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    MOCVD%AlGaAs/GaAs%양자정홍외탐측기%홍외열성상
    采用n型掺杂背面入射AlGaAs/GaAs量子阱结构,用MOCVD外延生长和GaAs集成电路工艺,设计制作了大面积AlGaAs/GaAs QWIP单元测试器件和128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP焦平面探测器阵列.用液氮温度下的暗电流和傅里叶红外响应光谱对单元测试器件进行了评估,针对不同材料结构,实现了9μm和10.9 μm的截止波长;黑体探测率最高达到2.6×109cm·Hz1/2·W-1.将128×128 AlGaAs/GaAs QWIP阵列芯片与CMOS读出电路芯片倒装焊互连,成功演示了室温环境下目标的红外热成像;并进一步讨论了提高QWIP组件成像质量的途径.
    채용n형참잡배면입사AlGaAs/GaAs양자정결구,용MOCVD외연생장화GaAs집성전로공예,설계제작료대면적AlGaAs/GaAs QWIP단원측시기건화128×128、128×160、256×256 AlGaAs/GaAsQWIP초평면탐측기진렬.용액담온도하적암전류화부리협홍외향응광보대단원측시기건진행료평고,침대불동재료결구,실현료9μm화10.9 μm적절지파장;흑체탐측솔최고체도2.6×109cm·Hz1/2·W-1.장128×128 AlGaAs/GaAs QWIP진렬심편여CMOS독출전로심편도장한호련,성공연시료실온배경하목표적홍외열성상;병진일보토론료제고QWIP조건성상질량적도경.
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