山西电子技术
山西電子技術
산서전자기술
SHANXI ELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
4期
72-74
,共3页
SiC%埋沟N型MOSFET%耗尽模式%不完全离化
SiC%埋溝N型MOSFET%耗儘模式%不完全離化
SiC%매구N형MOSFET%모진모식%불완전리화
在考虑杂质不完全离化的作用下,建立了6H-SiC埋沟NMOSFET耗尽模式下的电流解析模型.并通过模型,仿真分析了器件电流随温度的变化情况.在温度达到600k以上时,杂质的不完全离化作用对器件的影响不明显.常温下电流特性模型的仿真结果与实验结果的一致性,说明了本模型的准确性.
在攷慮雜質不完全離化的作用下,建立瞭6H-SiC埋溝NMOSFET耗儘模式下的電流解析模型.併通過模型,倣真分析瞭器件電流隨溫度的變化情況.在溫度達到600k以上時,雜質的不完全離化作用對器件的影響不明顯.常溫下電流特性模型的倣真結果與實驗結果的一緻性,說明瞭本模型的準確性.
재고필잡질불완전리화적작용하,건립료6H-SiC매구NMOSFET모진모식하적전류해석모형.병통과모형,방진분석료기건전류수온도적변화정황.재온도체도600k이상시,잡질적불완전리화작용대기건적영향불명현.상온하전류특성모형적방진결과여실험결과적일치성,설명료본모형적준학성.
