稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2011年
1期
143-149
,共7页
毛威%苏小平%王铁艳%袁琴
毛威%囌小平%王鐵豔%袁琴
모위%소소평%왕철염%원금
SiCl4%光纤%SiHCl3%去除%检测
SiCl4%光纖%SiHCl3%去除%檢測
SiCl4%광섬%SiHCl3%거제%검측
SiCl4是光纤制造的关键原材料,其质量的高低决定着光纤的传输性能.SiHCl3是SiCl4中常见的一种含氢杂质,其含量的多少对SiCl4质量产生严重影响.综述了国内外对于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究进展,主要有精馏法、等离子体法、光化法,以及吸附法、部分水解法等其他一些方法.国内常用精馏法提纯SiCl4,但由于SiHCl3和SiCl4的沸点较为接近,精馏法对于SiCl4中SiHCl3的去除仍然存在着一定的限度;等离子体法去除SiHCl3效果好,但对于设备、技术要求相对较高;光化法对于SiHCl3的去除十分有效,可将SiHCl3的含量降到1×10-6以下.同时介绍了SiCl4中SiHCl3含量的检测方法,包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法(FT-IR法)、红外空气参考法.气相色谱法具有取几毫克SiCl4即可检出其中微克级SiHCl3的特点,其检测下限为0.1×10-6;FT-IR法不仅可用于实验室分析,而且可应用于生产现场分析,对SiHCl3的测量下限为0.6×10-6;红外空气参考法对SiHCl3的测量下限为2×10-6.进行SiCl4中SiHCl3的去除工艺、检测技术研究,对于光纤用高纯SiCl4的提纯,进而对于光纤用关键原料国产化,具有重要的意义.
SiCl4是光纖製造的關鍵原材料,其質量的高低決定著光纖的傳輸性能.SiHCl3是SiCl4中常見的一種含氫雜質,其含量的多少對SiCl4質量產生嚴重影響.綜述瞭國內外對于SiCl4中SiHCl3去除方法的研究進展,主要有精餾法、等離子體法、光化法,以及吸附法、部分水解法等其他一些方法.國內常用精餾法提純SiCl4,但由于SiHCl3和SiCl4的沸點較為接近,精餾法對于SiCl4中SiHCl3的去除仍然存在著一定的限度;等離子體法去除SiHCl3效果好,但對于設備、技術要求相對較高;光化法對于SiHCl3的去除十分有效,可將SiHCl3的含量降到1×10-6以下.同時介紹瞭SiCl4中SiHCl3含量的檢測方法,包括氣相色譜法、傅裏葉變換紅外光譜法(FT-IR法)、紅外空氣參攷法.氣相色譜法具有取幾毫剋SiCl4即可檢齣其中微剋級SiHCl3的特點,其檢測下限為0.1×10-6;FT-IR法不僅可用于實驗室分析,而且可應用于生產現場分析,對SiHCl3的測量下限為0.6×10-6;紅外空氣參攷法對SiHCl3的測量下限為2×10-6.進行SiCl4中SiHCl3的去除工藝、檢測技術研究,對于光纖用高純SiCl4的提純,進而對于光纖用關鍵原料國產化,具有重要的意義.
SiCl4시광섬제조적관건원재료,기질량적고저결정착광섬적전수성능.SiHCl3시SiCl4중상견적일충함경잡질,기함량적다소대SiCl4질양산생엄중영향.종술료국내외대우SiCl4중SiHCl3거제방법적연구진전,주요유정류법、등리자체법、광화법,이급흡부법、부분수해법등기타일사방법.국내상용정류법제순SiCl4,단유우SiHCl3화SiCl4적비점교위접근,정류법대우SiCl4중SiHCl3적거제잉연존재착일정적한도;등리자체법거제SiHCl3효과호,단대우설비、기술요구상대교고;광화법대우SiHCl3적거제십분유효,가장SiHCl3적함량강도1×10-6이하.동시개소료SiCl4중SiHCl3함량적검측방법,포괄기상색보법、부리협변환홍외광보법(FT-IR법)、홍외공기삼고법.기상색보법구유취궤호극SiCl4즉가검출기중미극급SiHCl3적특점,기검측하한위0.1×10-6;FT-IR법불부가용우실험실분석,이차가응용우생산현장분석,대SiHCl3적측량하한위0.6×10-6;홍외공기삼고법대SiHCl3적측량하한위2×10-6.진행SiCl4중SiHCl3적거제공예、검측기술연구,대우광섬용고순SiCl4적제순,진이대우광섬용관건원료국산화,구유중요적의의.
