物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2003年
11期
1054-1058
,共5页
沈少来%唐景昌%曹松%汪雷
瀋少來%唐景昌%曹鬆%汪雷
침소래%당경창%조송%왕뢰
近边X射线吸收精细结构(NEXAFS),Cl/GaAs(111)吸附表面,多重散射团簇方法(MSC)
近邊X射線吸收精細結構(NEXAFS),Cl/GaAs(111)吸附錶麵,多重散射糰簇方法(MSC)
근변X사선흡수정세결구(NEXAFS),Cl/GaAs(111)흡부표면,다중산사단족방법(MSC)
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS).阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源.根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm.这个结果在0.005 nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217 nm)和Slab模型计算的结果(0.208 nm)合理地联系起来.此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫.
利用多重散射糰簇方法(MSC)計算瞭Cl/GaAs(111)吸附錶麵的Cl原子k邊X射線吸收精細結構譜(NEXAFS).闡明瞭NEXAFS譜中各箇弱結構的物理起源.根據模型計算的結果與實驗比較,求得吸附在頂位的氯原子和最近鄰的鎵原子的鍵長為(0.213±0.005)nm.這箇結果在0.005 nm的誤差範圍內將廣延X射線吸收精細結構(EXFAS)實驗譜的Fourier變換結果(0.217 nm)和Slab模型計算的結果(0.208 nm)閤理地聯繫起來.此外,MSC計算求得襯底錶麵層Ga-As鍵長為(0.235±0.005)nm,證實Cl吸附引起GaAs(111)錶麵馳豫.
이용다중산사단족방법(MSC)계산료Cl/GaAs(111)흡부표면적Cl원자k변X사선흡수정세결구보(NEXAFS).천명료NEXAFS보중각개약결구적물리기원.근거모형계산적결과여실험비교,구득흡부재정위적록원자화최근린적가원자적건장위(0.213±0.005)nm.저개결과재0.005 nm적오차범위내장엄연X사선흡수정세결구(EXFAS)실험보적Fourier변환결과(0.217 nm)화Slab모형계산적결과(0.208 nm)합리지련계기래.차외,MSC계산구득츤저표면층Ga-As건장위(0.235±0.005)nm,증실Cl흡부인기GaAs(111)표면치예.
