中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2004年
7期
870-874
,共5页
吴云峰%叶玉堂%吴泽明%杨先明%秦宇伟
吳雲峰%葉玉堂%吳澤明%楊先明%秦宇偉
오운봉%협옥당%오택명%양선명%진우위
激光技术%激光微细加工%半导体%温度上升
激光技術%激光微細加工%半導體%溫度上升
격광기술%격광미세가공%반도체%온도상승
在激光诱导扩散等激光微细加工技术中,需要用聚焦激光束照射基片表面,以形成局部高温区.为使局部高温区的温度分布满足实验要求,对10.6μm聚焦连续波CO2激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算.计算中考虑了基片材料对10.6μm激光的吸收系数随温度的变化.计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系.结果表明,基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于100 μm时,激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过600 K.增加基片初始温度,可以在建立满足要求的温度上升的同时,减小基片上高温区分布的面积.在同一初始温度下,在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下,应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率,从而使基片表面热斑的温度分布更易控制.
在激光誘導擴散等激光微細加工技術中,需要用聚焦激光束照射基片錶麵,以形成跼部高溫區.為使跼部高溫區的溫度分佈滿足實驗要求,對10.6μm聚焦連續波CO2激光束照射下半導體基片的溫度上升進行瞭數值計算.計算中攷慮瞭基片材料對10.6μm激光的吸收繫數隨溫度的變化.計算得到瞭溫度上升與基片預熱溫度、入射激光束功率及曝光麵積等參數的關繫.結果錶明,基片初始溫度為室溫及激光焦斑直徑小于100 μm時,激光照射形成穩定高溫區的最高溫度不超過600 K.增加基片初始溫度,可以在建立滿足要求的溫度上升的同時,減小基片上高溫區分佈的麵積.在同一初始溫度下,在基片高溫區分佈的麵積符閤實驗要求的前提下,應儘量使用較大的光斑呎吋和激光功率,從而使基片錶麵熱斑的溫度分佈更易控製.
재격광유도확산등격광미세가공기술중,수요용취초격광속조사기편표면,이형성국부고온구.위사국부고온구적온도분포만족실험요구,대10.6μm취초련속파CO2격광속조사하반도체기편적온도상승진행료수치계산.계산중고필료기편재료대10.6μm격광적흡수계수수온도적변화.계산득도료온도상승여기편예열온도、입사격광속공솔급폭광면적등삼수적관계.결과표명,기편초시온도위실온급격광초반직경소우100 μm시,격광조사형성은정고온구적최고온도불초과600 K.증가기편초시온도,가이재건립만족요구적온도상승적동시,감소기편상고온구분포적면적.재동일초시온도하,재기편고온구분포적면적부합실험요구적전제하,응진량사용교대적광반척촌화격광공솔,종이사기편표면열반적온도분포경역공제.
