华南理工大学学报（自然科学版）
華南理工大學學報（自然科學版）
화남리공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2005年
12期
92-95,104
,共5页
李斌%林丽%黄云%钮利荣
李斌%林麗%黃雲%鈕利榮
리빈%림려%황운%뉴리영
GaAs MMIC%击穿%寿命预测%TDDB%氮化硅
GaAs MMIC%擊穿%壽命預測%TDDB%氮化硅
GaAs MMIC%격천%수명예측%TDDB%담화규
在斜坡电压应力条件下对GaAs MMIC介质层Si3N4的击穿特性进行了测试,探讨了电容面积、周长以及斜率对与时间有关的介质击穿(TDDB)特性的影响.实验结果表明,电容面积越大,周长越长,介质中的缺陷就越多,其击穿电压也就越低,可靠性越差.根据TDDB线性电场模型,采用不同斜率的斜坡电压应力测试数据预测了正常工作电压下的Si3N4寿命.与温度加速实验相比,文中所提方法快速、成本低廉.
在斜坡電壓應力條件下對GaAs MMIC介質層Si3N4的擊穿特性進行瞭測試,探討瞭電容麵積、週長以及斜率對與時間有關的介質擊穿(TDDB)特性的影響.實驗結果錶明,電容麵積越大,週長越長,介質中的缺陷就越多,其擊穿電壓也就越低,可靠性越差.根據TDDB線性電場模型,採用不同斜率的斜坡電壓應力測試數據預測瞭正常工作電壓下的Si3N4壽命.與溫度加速實驗相比,文中所提方法快速、成本低廉.
재사파전압응력조건하대GaAs MMIC개질층Si3N4적격천특성진행료측시,탐토료전용면적、주장이급사솔대여시간유관적개질격천(TDDB)특성적영향.실험결과표명,전용면적월대,주장월장,개질중적결함취월다,기격천전압야취월저,가고성월차.근거TDDB선성전장모형,채용불동사솔적사파전압응력측시수거예측료정상공작전압하적Si3N4수명.여온도가속실험상비,문중소제방법쾌속、성본저렴.
