人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
1003-1006
,共4页
王淼%王锐%杨春晖%徐衍岭%刘欣荣%吕祖舜
王淼%王銳%楊春暉%徐衍嶺%劉訢榮%呂祖舜
왕묘%왕예%양춘휘%서연령%류흔영%려조순
Ce:LiNbO3晶体%结构缺陷%[Li]/[Nb]比%光折变性能
Ce:LiNbO3晶體%結構缺陷%[Li]/[Nb]比%光摺變性能
Ce:LiNbO3정체%결구결함%[Li]/[Nb]비%광절변성능
在铌酸锂(LiNbO3,LN)中掺入摩尔分数为0.1%的CeO2,以提拉法从不同[Li]/[Nb]摩尔比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的熔体中生长出了Ce:LN晶体.测试了晶体的晶格常数、红外光谱和居里温度.结果表明:随着[Li]/[Nb]比的增加,晶体仍为三方的LN晶体,且晶格常数和晶胞体积没有发生大的变化,v(OH-)振动峰的位置依次向长波方向移动,居里温度依次增加,结构缺陷减少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的协同作用,[Li]/[Nb]比为1.100的Ce:LN晶体已接近化学计量比,[Li]/[Nb]比为0.850的Ce:LN晶体的居里温度近似等于纯LN晶体.利用二波耦合光路测试了晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算了晶体的光折变灵敏度及动态范围.测试了晶体的抗光致散射能力,结果表明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶体的光折变性能越好.并分析了不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶体光折变性能增强的机理.
在鈮痠鋰(LiNbO3,LN)中摻入摩爾分數為0.1%的CeO2,以提拉法從不同[Li]/[Nb]摩爾比([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)的鎔體中生長齣瞭Ce:LN晶體.測試瞭晶體的晶格常數、紅外光譜和居裏溫度.結果錶明:隨著[Li]/[Nb]比的增加,晶體仍為三方的LN晶體,且晶格常數和晶胞體積沒有髮生大的變化,v(OH-)振動峰的位置依次嚮長波方嚮移動,居裏溫度依次增加,結構缺陷減少.由于Ce和[Li]/[Nb]比的協同作用,[Li]/[Nb]比為1.100的Ce:LN晶體已接近化學計量比,[Li]/[Nb]比為0.850的Ce:LN晶體的居裏溫度近似等于純LN晶體.利用二波耦閤光路測試瞭晶體的衍射效率、寫入時間和抆除時間,計算瞭晶體的光摺變靈敏度及動態範圍.測試瞭晶體的抗光緻散射能力,結果錶明:[Li]/[Nb]比越高的Ce:LN晶體的光摺變性能越好.併分析瞭不同[Li]/[Nb]比Ce:LN晶體光摺變性能增彊的機理.
재니산리(LiNbO3,LN)중참입마이분수위0.1%적CeO2,이제랍법종불동[Li]/[Nb]마이비([Li]/[Nb]=0.750,0.850,0.946,1.100)적용체중생장출료Ce:LN정체.측시료정체적정격상수、홍외광보화거리온도.결과표명:수착[Li]/[Nb]비적증가,정체잉위삼방적LN정체,차정격상수화정포체적몰유발생대적변화,v(OH-)진동봉적위치의차향장파방향이동,거리온도의차증가,결구결함감소.유우Ce화[Li]/[Nb]비적협동작용,[Li]/[Nb]비위1.100적Ce:LN정체이접근화학계량비,[Li]/[Nb]비위0.850적Ce:LN정체적거리온도근사등우순LN정체.이용이파우합광로측시료정체적연사효솔、사입시간화찰제시간,계산료정체적광절변령민도급동태범위.측시료정체적항광치산사능력,결과표명:[Li]/[Nb]비월고적Ce:LN정체적광절변성능월호.병분석료불동[Li]/[Nb]비Ce:LN정체광절변성능증강적궤리.