功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2007年
3期
233-236
,共4页
SIMOX%SOI%总剂量辐照效应%Pseudo-MOS
SIMOX%SOI%總劑量輻照效應%Pseudo-MOS
SIMOX%SOI%총제량복조효응%Pseudo-MOS
为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料,通过对比改性前后样品在辐照前后的pseudo-MOSFET ID-VG特性曲线,分析改性工艺的影响.研究结果表明,合适的改性工艺能有效提高材料抗总剂量辐照效应的能力,pseudo-MOS方法在大大缩短SOI材料改性周期的基础上,能准确、快捷地对材料的总剂量辐照效应进行表征.
為瞭縮短SOI材料的改性研究週期,利用pseudo-MOS方法研究瞭SIMOX SOI材料的總劑量輻照效應.試驗採用硅註入絕緣埋層後退火得到改性的SIMOX SOI材料,通過對比改性前後樣品在輻照前後的pseudo-MOSFET ID-VG特性麯線,分析改性工藝的影響.研究結果錶明,閤適的改性工藝能有效提高材料抗總劑量輻照效應的能力,pseudo-MOS方法在大大縮短SOI材料改性週期的基礎上,能準確、快捷地對材料的總劑量輻照效應進行錶徵.
위료축단SOI재료적개성연구주기,이용pseudo-MOS방법연구료SIMOX SOI재료적총제량복조효응.시험채용규주입절연매층후퇴화득도개성적SIMOX SOI재료,통과대비개성전후양품재복조전후적pseudo-MOSFET ID-VG특성곡선,분석개성공예적영향.연구결과표명,합괄적개성공예능유효제고재료항총제량복조효응적능력,pseudo-MOS방법재대대축단SOI재료개성주기적기출상,능준학、쾌첩지대재료적총제량복조효응진행표정.
