红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2007年
z1期
59-62
,共4页
戴君%王兴治%何少伟%马宏%易新建
戴君%王興治%何少偉%馬宏%易新建
대군%왕흥치%하소위%마굉%역신건
氧化钒薄膜%非制冷红外探测器%磁控溅射
氧化釩薄膜%非製冷紅外探測器%磁控濺射
양화범박막%비제랭홍외탐측기%자공천사
主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流磁控溅射法在相对较低温度220℃下制备出电阻温度系数(TCR)为-1.9%/℃的VOx薄膜.通过XRD、AFM、红外透过测试方法对薄膜的形貌、组分及其红外吸收性能进行分析,结果表明该VOx薄膜非常适合用作非制冷红外探测器热敏材料.与传统的工艺相比,由于该薄膜淀积过程无需高温退火,在后期的红外焦平面制作过程中,可以较好地保护红外焦平面阵列的CMOS电路.
主要介紹瞭紅外探測器的分類、髮展,及基于氧化釩薄膜的熱探測器的優勢;採用直流磁控濺射法在相對較低溫度220℃下製備齣電阻溫度繫數(TCR)為-1.9%/℃的VOx薄膜.通過XRD、AFM、紅外透過測試方法對薄膜的形貌、組分及其紅外吸收性能進行分析,結果錶明該VOx薄膜非常適閤用作非製冷紅外探測器熱敏材料.與傳統的工藝相比,由于該薄膜澱積過程無需高溫退火,在後期的紅外焦平麵製作過程中,可以較好地保護紅外焦平麵陣列的CMOS電路.
주요개소료홍외탐측기적분류、발전,급기우양화범박막적열탐측기적우세;채용직류자공천사법재상대교저온도220℃하제비출전조온도계수(TCR)위-1.9%/℃적VOx박막.통과XRD、AFM、홍외투과측시방법대박막적형모、조분급기홍외흡수성능진행분석,결과표명해VOx박막비상괄합용작비제랭홍외탐측기열민재료.여전통적공예상비,유우해박막정적과정무수고온퇴화,재후기적홍외초평면제작과정중,가이교호지보호홍외초평면진렬적CMOS전로.
