中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2009年
5期
54-58
,共5页
韩峰%亢宝位%吴郁%田波
韓峰%亢寶位%吳鬱%田波
한봉%항보위%오욱%전파
沟槽栅e-JFET%沟槽栅MOSFET%功耗
溝槽柵e-JFET%溝槽柵MOSFET%功耗
구조책e-JFET%구조책MOSFET%공모
本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比.通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%.将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景.
本文主要針對低壓功率開關管的功耗進行瞭理論分析,併在此基礎上分彆對兩種典型結構的溝槽柵MOSFET和e-JFET在不同工作頻率下的功耗分佈和總功耗進行瞭定量的倣真計算和對比.通過研究髮現,在一定工作條件下,常閉型e-JFET比目前常用的溝槽柵型MOSFET僅開關功耗就降低約24%,總功耗則降低約30%.將其運用于CPU電源電路中的開關功率管的製造,在高頻領域有著極好的應用前景.
본문주요침대저압공솔개관관적공모진행료이론분석,병재차기출상분별대량충전형결구적구조책MOSFET화e-JFET재불동공작빈솔하적공모분포화총공모진행료정량적방진계산화대비.통과연구발현,재일정공작조건하,상폐형e-JFET비목전상용적구조책형MOSFET부개관공모취강저약24%,총공모칙강저약30%.장기운용우CPU전원전로중적개관공솔관적제조,재고빈영역유착겁호적응용전경.
