材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2012年
10期
33-35,57
,共4页
谌夏%方亮%吴芳%阮海波%魏文猴%黄秋柳
諶夏%方亮%吳芳%阮海波%魏文猴%黃鞦柳
심하%방량%오방%원해파%위문후%황추류
Sn掺杂ZnO薄膜%射频磁控溅射%光学性质%电学性质
Sn摻雜ZnO薄膜%射頻磁控濺射%光學性質%電學性質
Sn참잡ZnO박막%사빈자공천사%광학성질%전학성질
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.
採用射頻磁控濺射技術在石英襯底上製備瞭摻雜濃度為0.5％(原子分數)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究瞭不同襯底溫度下薄膜的結構、形貌、電學和光學的性能.研究髮現,TZO薄膜沿著C軸擇優生長,在400℃時結晶度最好,最低電阻率為2.619×10-2Ω·cm,在可見光範圍內具有較好的透光率.
채용사빈자공천사기술재석영츤저상제비료참잡농도위0.5％(원자분수)적ZnO∶Sn(TZO)박막,연구료불동츤저온도하박막적결구、형모、전학화광학적성능.연구발현,TZO박막연착C축택우생장,재400℃시결정도최호,최저전조솔위2.619×10-2Ω·cm,재가견광범위내구유교호적투광솔.
