原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2012年
8期
982-986
,共5页
吴清英%罗顺忠%陈静%龙兴贵%邴文增
吳清英%囉順忠%陳靜%龍興貴%邴文增
오청영%라순충%진정%룡흥귀%병문증
电子束蒸发%钪%薄膜%衬底材料%基底温度
電子束蒸髮%鈧%薄膜%襯底材料%基底溫度
전자속증발%항%박막%츤저재료%기저온도
在不同基底温度下,用电子束蒸镀法在未抛光Mo、抛光Mo及Si<111>基片上制备了Sc膜,并用XRD、SEM及AFM对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析测试.结果表明:衬底材料、基底温度对Sc膜结构、形貌的影响极大.物相结构相同的Mo基底,抛光Mo上的Sc膜表面较平整,倾向于混合生长；而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,为岛状生长.提高基底温度有利于抛光Mo基底上Sc膜的(002)方向择优生长,但高温时会导致Si基底上膜表面的物相由单质Sc变为ScSi化合物,作为吸氢材料,ScSi化合物的形成不利于吸氢,应尽量避免其生成.
在不同基底溫度下,用電子束蒸鍍法在未拋光Mo、拋光Mo及Si<111>基片上製備瞭Sc膜,併用XRD、SEM及AFM對薄膜的微觀結構和錶麵形貌進行瞭分析測試.結果錶明:襯底材料、基底溫度對Sc膜結構、形貌的影響極大.物相結構相同的Mo基底,拋光Mo上的Sc膜錶麵較平整,傾嚮于混閤生長；而粗糙Mo基底上Sc膜凸凹不平,為島狀生長.提高基底溫度有利于拋光Mo基底上Sc膜的(002)方嚮擇優生長,但高溫時會導緻Si基底上膜錶麵的物相由單質Sc變為ScSi化閤物,作為吸氫材料,ScSi化閤物的形成不利于吸氫,應儘量避免其生成.
재불동기저온도하,용전자속증도법재미포광Mo、포광Mo급Si<111>기편상제비료Sc막,병용XRD、SEM급AFM대박막적미관결구화표면형모진행료분석측시.결과표명:츤저재료、기저온도대Sc막결구、형모적영향겁대.물상결구상동적Mo기저,포광Mo상적Sc막표면교평정,경향우혼합생장；이조조Mo기저상Sc막철요불평,위도상생장.제고기저온도유리우포광Mo기저상Sc막적(002)방향택우생장,단고온시회도치Si기저상막표면적물상유단질Sc변위ScSi화합물,작위흡경재료,ScSi화합물적형성불리우흡경,응진량피면기생성.
