吉林大学自然科学学报
吉林大學自然科學學報
길림대학자연과학학보
ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS JILINENSIS
1999年
3期
72
,共1页
王怀荣%姚达%苏秀娣%许仲德%陆剑侠%顾长志%金曾孙
王懷榮%姚達%囌秀娣%許仲德%陸劍俠%顧長誌%金曾孫
왕부영%요체%소수제%허중덕%륙검협%고장지%금증손
金刚石膜上的薄层硅%集成电路%抗辐射%恢复特性
金剛石膜上的薄層硅%集成電路%抗輻射%恢複特性
금강석막상적박층규%집성전로%항복사%회복특성
以金刚石膜作为绝缘埋层,利用金刚石膜上的薄层硅 (SOD)技术,制作54HCT03 CMOS/SOD结构的集成电路. 对该电路在辐照后的恢复特性进行研究. 结果表明,SOD电路在大剂量辐照后的恢复能力明显强于体硅电路;常规非辐照环境下的高温退火工艺更有利于辐照后的SOD电路的快速恢复.
以金剛石膜作為絕緣埋層,利用金剛石膜上的薄層硅 (SOD)技術,製作54HCT03 CMOS/SOD結構的集成電路. 對該電路在輻照後的恢複特性進行研究. 結果錶明,SOD電路在大劑量輻照後的恢複能力明顯彊于體硅電路;常規非輻照環境下的高溫退火工藝更有利于輻照後的SOD電路的快速恢複.
이금강석막작위절연매층,이용금강석막상적박층규 (SOD)기술,제작54HCT03 CMOS/SOD결구적집성전로. 대해전로재복조후적회복특성진행연구. 결과표명,SOD전로재대제량복조후적회복능력명현강우체규전로;상규비복조배경하적고온퇴화공예경유리우복조후적SOD전로적쾌속회복.
