中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
1999年
9期
815-818
,共4页
黄继颇%王连卫%高剑侠%林成鲁%周艳萍
黃繼頗%王連衛%高劍俠%林成魯%週豔萍
황계파%왕련위%고검협%림성로%주염평
氮化铝%脉冲激光沉积%介电性
氮化鋁%脈遲激光沉積%介電性
담화려%맥충격광침적%개전성
采用ArF脉冲准分子激光沉积法并结合退火后处理工艺,在Si(111)衬底上成功地制备了AlN晶态薄膜.X射线衍射、扩展电阻与原子力显微镜等测试结果表明:薄膜具有(101)取向,平均晶粒大小为200 nm;薄膜介电性能优异,扩展电阻在108Ω以上.
採用ArF脈遲準分子激光沉積法併結閤退火後處理工藝,在Si(111)襯底上成功地製備瞭AlN晶態薄膜.X射線衍射、擴展電阻與原子力顯微鏡等測試結果錶明:薄膜具有(101)取嚮,平均晶粒大小為200 nm;薄膜介電性能優異,擴展電阻在108Ω以上.
채용ArF맥충준분자격광침적법병결합퇴화후처리공예,재Si(111)츤저상성공지제비료AlN정태박막.X사선연사、확전전조여원자력현미경등측시결과표명:박막구유(101)취향,평균정립대소위200 nm;박막개전성능우이,확전전조재108Ω이상.
