汕头大学学报（自然科学版）
汕頭大學學報（自然科學版）
산두대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHANTOU UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE EDITION)
2001年
1期
35-38
,共4页
梁厚蕴%林揆训%梁淑霞%周甫方
樑厚蘊%林揆訓%樑淑霞%週甫方
량후온%림규훈%량숙하%주보방
快速热退火%铝诱导晶化
快速熱退火%鋁誘導晶化
쾌속열퇴화%려유도정화
在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频辉光放电化学气相沉积法沉积1～4μm厚的α-Si薄膜(基底沉积温度为300C,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N2气保护中热退火,可使其快速晶化成多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下α-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.
在鍍鋁(0.5～4μm)的玻璃基底上用射頻輝光放電化學氣相沉積法沉積1～4μm厚的α-Si薄膜(基底沉積溫度為300C,沉積速率為1.0μm/h),然後樣品在共鎔溫度下、N2氣保護中熱退火,可使其快速晶化成多晶硅薄膜.結果錶明:在鋁薄膜的誘導下α-Si薄膜在溫度550℃附近退火5min即可達到晶化,X-射線衍射分析顯示樣品退火30min形成的硅層基本全部晶化,且具有良好的晶化質量.
재도려(0.5～4μm)적파리기저상용사빈휘광방전화학기상침적법침적1～4μm후적α-Si박막(기저침적온도위300C,침적속솔위1.0μm/h),연후양품재공용온도하、N2기보호중열퇴화,가사기쾌속정화성다정규박막.결과표명:재려박막적유도하α-Si박막재온도550℃부근퇴화5min즉가체도정화,X-사선연사분석현시양품퇴화30min형성적규층기본전부정화,차구유량호적정화질량.
