核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2003年
9期
697-699
,共3页
艾尔肯%郭旗%任迪远%余学峰%陆妩%严荣良
艾爾肯%郭旂%任迪遠%餘學峰%陸嫵%嚴榮良
애이긍%곽기%임적원%여학봉%륙무%엄영량
太阳电池%电子辐照%辐射损伤%光谱响应
太暘電池%電子輻照%輻射損傷%光譜響應
태양전지%전자복조%복사손상%광보향응
对一种国产金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺制备的GaAs/Ge太阳电池进行了1MeV电子辐照损伤研究,讨论和分析了电池电参数和光谱响应的衰降规律和原因并与常规硅太阳电池作了比较.实验结果表明,GaAs/Ge电池与常规Si电池相比,不但转换效率高而且其抗辐射能力也比Si电池好.另外,带有AlxGa1-xAs窗口层的GaAs电池的辐射损伤机理与Si电池不同.
對一種國產金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)工藝製備的GaAs/Ge太暘電池進行瞭1MeV電子輻照損傷研究,討論和分析瞭電池電參數和光譜響應的衰降規律和原因併與常規硅太暘電池作瞭比較.實驗結果錶明,GaAs/Ge電池與常規Si電池相比,不但轉換效率高而且其抗輻射能力也比Si電池好.另外,帶有AlxGa1-xAs窗口層的GaAs電池的輻射損傷機理與Si電池不同.
대일충국산금속유궤물화학기상침적(MOCVD)공예제비적GaAs/Ge태양전지진행료1MeV전자복조손상연구,토론화분석료전지전삼수화광보향응적쇠강규률화원인병여상규규태양전지작료비교.실험결과표명,GaAs/Ge전지여상규Si전지상비,불단전환효솔고이차기항복사능력야비Si전지호.령외,대유AlxGa1-xAs창구층적GaAs전지적복사손상궤리여Si전지불동.
