红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2006年
4期
432-436
,共5页
袁红辉%王淦泉%陈永平%梁平治
袁紅輝%王淦泉%陳永平%樑平治
원홍휘%왕감천%진영평%량평치
前置放大器%低温%低功耗%低噪声
前置放大器%低溫%低功耗%低譟聲
전치방대기%저온%저공모%저조성
为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100 K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放器.分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3 dB带宽大于10 kHz.此前置放大器用1.2 μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1 mm×2.9 mm.经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03 pA/Hz1/2,单元功耗小于1 mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好.
為瞭降低紅外繫統的譟聲,提齣瞭一種新的電路結構,利用單耑摺疊共源共柵結構和MOS管工作在線性區做反饋電阻,設計瞭一種在深低溫(100 K左右)工作的高性能低功耗、低譟聲前置放器.分析瞭其譟聲特性,併提齣瞭減少譟聲的措施,倣真結果顯示該前置放大器的輸齣電壓譟聲很小,3 dB帶寬大于10 kHz.此前置放大器用1.2 μm的標準CMOS工藝製造完成,四單元芯片的大小為2.1 mm×2.9 mm.經測試,這種前置放大器在深低溫下能正常工作,反饋電阻大小為兆歐級,等效輸入譟聲電流僅0.03 pA/Hz1/2,單元功耗小于1 mW,與紅外探測器連接後工作正常,線性度較好.
위료강저홍외계통적조성,제출료일충신적전로결구,이용단단절첩공원공책결구화MOS관공작재선성구주반궤전조,설계료일충재심저온(100 K좌우)공작적고성능저공모、저조성전치방기.분석료기조성특성,병제출료감소조성적조시,방진결과현시해전치방대기적수출전압조성흔소,3 dB대관대우10 kHz.차전치방대기용1.2 μm적표준CMOS공예제조완성,사단원심편적대소위2.1 mm×2.9 mm.경측시,저충전치방대기재심저온하능정상공작,반궤전조대소위조구급,등효수입조성전류부0.03 pA/Hz1/2,단원공모소우1 mW,여홍외탐측기련접후공작정상,선성도교호.
