人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
1159-1162
,共4页
张丽伟%赵新蕖%卢景霄%郜小勇%陈永生%靳瑞敏
張麗偉%趙新蕖%盧景霄%郜小勇%陳永生%靳瑞敏
장려위%조신거%로경소%고소용%진영생%근서민
SEM%RTP%柱晶%多晶硅薄膜
SEM%RTP%柱晶%多晶硅薄膜
SEM%RTP%주정%다정규박막
在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.
在多晶硅薄膜(Poly-Si)生長理論的基礎上,用等離子體化學氣相沉積(RF-PECVD)繫統,配閤快速光熱退火裝置(RTP),在玻璃襯底和石英襯底上製備瞭柱狀結構的多晶硅薄膜.藉助于掃描電子顯微鏡(SEM)等測試手段,對薄膜的錶麵形貌和斷麵形貌進行瞭分析.結果髮現:(1)柱晶的形成對薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直徑越容易長得更大.本實驗中,薄膜厚度達到2.5μm左右時,柱晶直徑達到瞭1.5μm以上;(2)再結晶過程是從靠近光源的薄膜錶麵開始進而到薄膜內部的.再次說明RTP中再結晶的髮生,與光和物質的相互作用密切相關.
재다정규박막(Poly-Si)생장이론적기출상,용등리자체화학기상침적(RF-PECVD)계통,배합쾌속광열퇴화장치(RTP),재파리츤저화석영츤저상제비료주상결구적다정규박막.차조우소묘전자현미경(SEM)등측시수단,대박막적표면형모화단면형모진행료분석.결과발현:(1)주정적형성대박막적후도유일정요구,이차박막월후,주정직경월용역장득경대.본실험중,박막후도체도2.5μm좌우시,주정직경체도료1.5μm이상;(2)재결정과정시종고근광원적박막표면개시진이도박막내부적.재차설명RTP중재결정적발생,여광화물질적상호작용밀절상관.
