固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
12-15
,共4页
部分耗尽绝缘体上硅%环形栅%浮体效应%体源连接
部分耗儘絕緣體上硅%環形柵%浮體效應%體源連接
부분모진절연체상규%배형책%부체효응%체원련접
提出了一种基于部分耗尽绝缘体上硅的体源连接环形栅nMOS器件,并讨论了相应的工艺技术和工作机理.采用体源连接环形栅器件结构,有效地抑制了浮体环形栅器件中存在的浮体效应和寄生双极晶体管效应,使器件性能得到很大的提高.消除了浮体环形栅器件的反常亚阈值斜率和Kink效应,DIBL从120.7 mV/V降低到3.45 mV/V,关态击穿电压从4.8 V提高到12.1 V.最后指出,体源连接环形栅器件非常适合于抗辐照加固等应用领域.
提齣瞭一種基于部分耗儘絕緣體上硅的體源連接環形柵nMOS器件,併討論瞭相應的工藝技術和工作機理.採用體源連接環形柵器件結構,有效地抑製瞭浮體環形柵器件中存在的浮體效應和寄生雙極晶體管效應,使器件性能得到很大的提高.消除瞭浮體環形柵器件的反常亞閾值斜率和Kink效應,DIBL從120.7 mV/V降低到3.45 mV/V,關態擊穿電壓從4.8 V提高到12.1 V.最後指齣,體源連接環形柵器件非常適閤于抗輻照加固等應用領域.
제출료일충기우부분모진절연체상규적체원련접배형책nMOS기건,병토론료상응적공예기술화공작궤리.채용체원련접배형책기건결구,유효지억제료부체배형책기건중존재적부체효응화기생쌍겁정체관효응,사기건성능득도흔대적제고.소제료부체배형책기건적반상아역치사솔화Kink효응,DIBL종120.7 mV/V강저도3.45 mV/V,관태격천전압종4.8 V제고도12.1 V.최후지출,체원련접배형책기건비상괄합우항복조가고등응용영역.
